浅谈电力系统继电保护干扰原因及其防护

文献链接：浅谈NanowiresinEnergyStorageDevices:Structures,Synthesis,andApplications (Adv.EnergyMater.,2018,DOI:10.1002/aenm.201802369)【通讯作者简介】麦立强，浅谈武汉理工大学材料学科首席教授，博士生导师，武汉理工大学材料科学与工程国际化示范学院国际事务院长，教育部长江学者特聘教授(2016年度)，国家重点研发计划纳米科技重点专项总体专家组成员。

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DFT计算获得了g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2的带隙、继电及PDOS、吸收光谱、功函数和电荷密度差异。对于Z-schemeg-C3N4/SnS2的速率步骤为CO2→COOH*，保护ΔG为1.10eV，主要产物为CH3OH和CH4。

干扰g-C3N4/SnS2和B掺杂g-C3N4/SnS2异质结构的模拟吸收光谱具有红移和更强的吸收。原因（d）g-C3N4/SnS2的能带结构图。